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フラッシュメモリ・NAND型・NOR型
Toshiba, フラッシュメモリ 4Gbit, 63-Pin, TC58NVG2S3EBAI5
RS品番:
752-2291
メーカー型番:
TC58NVG2S3EBAI5
メーカー/ブランド名:
Toshiba
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取扱終了
RS品番:
752-2291
メーカー型番:
TC58NVG2S3EBAI5
メーカー/ブランド名:
Toshiba
データシート
その他
詳細情報
仕様
TC58NVG2S3EBAI5, 4GBit (512M × 8-Bit) CMOS NAND E2PROM
RoHSステータス: 適合
フラッシュメモリ、東芝
フラッシュメモリ
フラッシュメモリICはブロック単位で書き込み / 消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。
特性
メモリサイズ
4Gbit
パッケージタイプ
TFBGA
ピン数
63
構成
512 M x 8
実装タイプ
表面実装
セルタイプ
NAND
動作供給電圧 Min
-0.6 V
動作供給電圧 Max
4.6 V
長さ
13mm
高さ
0.74mm
幅
10mm
寸法
13 x 10 x 0.74mm
最大ランダムアクセス時間
25ns
動作温度 Min
-40 °C
1ワード当たりのビット数
8bit
動作温度 Max
+85 °C
ワード数
512M
