• RS品番 752-2295
    • メーカー/ブランド名 Toshiba
    • メーカー 型番 TC58NVG2S3ETAI0
    Toshiba
    Toshiba, 4Gbit フラッシュメモリ NAND, 2.7 → 3.6 V, 48-Pin TSOP
    詳細情報

    フラッシュメモリ、東芝

    フラッシュメモリ

    フラッシュメモリICはブロック単位で書き込み / 消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。

    仕様
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    メモリサイズ4Gbit
    インターフェースタイプパラレル
    パッケージタイプTSOP
    ピン数48
    構成512 M x 8
    実装タイプ表面実装
    セルタイプNAND
    最小動作供給電圧-0.6 V
    最大動作供給電圧4.6 V
    ブロック構成対称
    長さ18.4mm
    高さ1mm
    12.4mm
    寸法18.4 x 12.4 x 1mm
    最大動作温度+85 °C
    1ワード当たりのビット数8bit
    ワード数512M
    最大ランダムアクセス時間25ns
    最小動作温度-40 °C
    すべて選択
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    データシート
    RoHSステータス: 適合
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