• RS品番 752-2295
  • メーカー/ブランド名 Toshiba
  • メーカー 型番 TC58NVG2S3ETAI0
Toshiba
Toshiba, 4Gbit フラッシュメモリ NAND, 2.7 → 3.6 V, 48-Pin TSOP
詳細情報

フラッシュメモリ、東芝

フラッシュメモリ

フラッシュメモリICはブロック単位で書き込み / 消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。

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仕様
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メモリサイズ4Gbit
インターフェースタイプパラレル
パッケージタイプTSOP
ピン数48
構成512 M x 8
実装タイプ表面実装
セルタイプNAND
最小動作供給電圧-0.6 V
最大動作供給電圧4.6 V
ブロック構成対称
長さ18.4mm
高さ1mm
12.4mm
寸法18.4 x 12.4 x 1mm
ワード数512M
最大ランダムアクセス時間25ns
最大動作温度+85 °C
最小動作温度-40 °C
1ワード当たりのビット数8bit
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<標準梱包>          単体もしくは購入単位ごとに梱包される形態          <プロダクションパッケージ>  リール・スティック・トレイ・袋などに梱包される形態
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