Toshiba, フラッシュメモリ 2 GByte パラレル, 48-Pin
- RS品番:
- 752-2298
- メーカー型番:
- TC58NVG1S3ETAI0
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
取扱終了
在庫限りでお取扱いは終了致します。
- RS品番:
- 752-2298
- メーカー型番:
- TC58NVG1S3ETAI0
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| メモリサイズ | 2 GByte | |
| インターフェースタイプ | パラレル | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 48 | |
| 構成 | 256 M x 8 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| セルタイプ | NAND | |
| 動作供給電圧 Min | -0.6 V | |
| 動作供給電圧 Max | 4.6 V | |
| ブロック構成 | 対称 | |
| 寸法 | 18.4 x 12.4 x 1mm | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 25ns | |
| ワード数 | 256M | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
メモリサイズ 2 GByte | ||
インターフェースタイプ パラレル | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 48 | ||
構成 256 M x 8 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
セルタイプ NAND | ||
動作供給電圧 Min -0.6 V | ||
動作供給電圧 Max 4.6 V | ||
ブロック構成 対称 | ||
寸法 18.4 x 12.4 x 1mm | ||
最大ランダムアクセス時間 25ns | ||
ワード数 256M | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
フラッシュメモリ、東芝
フラッシュメモリ
フラッシュメモリICはブロック単位で書き込み / 消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。