• RS品番 752-2298
  • メーカー/ブランド名 Toshiba
  • メーカー 型番 TC58NVG1S3ETAI0
Toshiba
Toshiba, 2 GByte フラッシュメモリ NAND, 2.7 → 3.6 V, 48-Pin TSOP
詳細情報

フラッシュメモリ、東芝

フラッシュメモリ

フラッシュメモリICはブロック単位で書き込み / 消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。

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仕様
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メモリサイズ2 GByte
インターフェースタイプパラレル
パッケージタイプTSOP
ピン数48
構成256 M x 8
実装タイプ表面実装
セルタイプNAND
最小動作供給電圧-0.6 V
最大動作供給電圧4.6 V
ブロック構成対称
長さ18.4mm
高さ1mm
12.4mm
寸法18.4 x 12.4 x 1mm
最大動作温度+85 °C
1ワード当たりのビット数8bit
ワード数256M
最大ランダムアクセス時間25ns
最小動作温度-40 °C
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リールやトレイなどに包装される形態です。お客様の機械にそのまま挿入できるため、製造の効率化に役立ちます。
データシート
RoHSステータス: 適合
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