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IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
onsemi IGBT, Nチャンネル, 50 A, 3-Pin, FGA50S110P
RS品番:
864-8786P
メーカー型番:
FGA50S110P
メーカー/ブランド名:
ON Semiconductor
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取扱終了
RS品番:
864-8786P
メーカー型番:
FGA50S110P
メーカー/ブランド名:
ON Semiconductor
データシート
その他
詳細情報
仕様
FGA50S110P, 1100V, 50A Shorted-Anode IGBT
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
Fairchild Semiconductor ディスクリートIGBT 1000 V以上
IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
特性
最大連続コレクタ電流
50 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧
1100 V
最大ゲート-エミッタ間電圧
±25V
最大パワー消費
300 W
パッケージタイプ
TO-3PN
実装タイプ
スルーホール
チャンネルタイプ
N
ピン数
3
トランジスタ構成
シングル
寸法
15.8 x 5 x 20.1mm
動作温度 Max
+175 °C
動作温度 Min
-55 °C