Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor Nチャンネル IGBT, 1100 V, 50 A, 3-Pin TO-3PN シングル
詳細情報

ディスクリートIGBT、1000 V以上、Fairchild Semiconductor

IGBTディスクリート / モジュール、Fairchild Semiconductor

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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仕様
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最大連続コレクタ電流50 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧1100 V
最大ゲート-エミッタ間電圧±25V
最大パワー消費300 W
パッケージタイプTO-3PN
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
ピン数3
トランジスタ構成シングル
長さ15.8mm
5mm
高さ20.1mm
寸法15.8 x 5 x 20.1mm
最大動作温度+175 °C
最小動作温度-55 °C
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