• RS品番 543-0945
    • メーカー/ブランド名 Infineon
    • メーカー 型番 IRFZ48VPBF
    Infineon
    Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 72 A, 3-Pin TO-220AB
    詳細情報

    NチャンネルパワーMOSFET (60 → 79 A)、Infineon

    InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

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    MOSFETトランジスタ、Infineon (IR)

    MOSFETトランジスタ、Infineon

    Infineonの高耐久性シングル / デュアルのNチャンネルデバイス及びPチャンネルデバイスは、いずれもスイッチング速度が速く、多様な電源要件に対応します。 AC-DC電源やDC-DC電源からオーディオや家庭用電化製品だけでなく、モータ制御から照明や家庭用電気製品などの用途があります。

    シングルパワーMOSFET、International Rectifier

    International Rectifier製のディスクリートHEXFET®パワーMOSFETには、ほとんどすべての基板レイアウトや熱設計の課題に対応する表面実装、リードパッケージ、及びフォームファクタのNチャンネル / Pチャンネルデバイスが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

    デュアルパワーMOSFET、International Rectifier

    International Rectifier製のデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET®デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高密度コンポーネントの設計において、省スペース、費用効率の高いスイッチングソリューションが実現します。 様々なパッケージオプションが用意されているので、デュアルNチャンネル、デュアルPチャンネル、又はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

    StrongIRFET™パワーMOSFET、International Rectifier

    International Rectifier製のStrongIRFET™ファミリは、RDS(on)を低くし、電流通過能力を高くするように最適化されています。 このポートフォリオは、性能と堅牢性が必要となるモータドライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理を含む低周波用途に最適な優れたゲート特性、アバランシェ特性、動的dv/dt耐久性を発揮します。

    仕様
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    チャンネルタイプN
    最大連続ドレイン電流72 A
    最大ドレイン-ソース間電圧60 V
    最大ドレイン-ソース間抵抗0.012 Ω
    最大ゲートしきい値電圧4V
    最低ゲートしきい値電圧2V
    最大ゲート-ソース間電圧±20 V
    パッケージタイプTO-220AB
    実装タイプスルーホール
    ピン数3
    チャンネルモードエンハンスメント型
    カテゴリーパワーMOSFET
    最大パワー消費150 W
    構成シングル
    高さ8.77mm
    最大動作温度+175 °C
    標準ターンオン遅延時間7.6 ns
    最小動作温度-55 °C
    標準ゲートチャージ @ Vgs110 nC @ 10 V
    標準入力キャパシタンス @ Vds1985 pF @ 25 V
    標準ターンオフ遅延時間157 ns
    1チップ当たりのエレメント数1
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