• RS品番 543-0945
    • メーカー/ブランド名 Infineon
    • メーカー 型番 IRFZ48VPBF
    Infineon
    Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 72 A, 3-Pin TO-220AB
    詳細情報

    NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon

    InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

    MOSFETトランジスタ、Infineon

    Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

    仕様
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    チャンネルタイプN
    最大連続ドレイン電流72 A
    最大ドレイン-ソース間電圧60 V
    最大ドレイン-ソース間抵抗12 mΩ
    最大ゲートしきい値電圧4V
    最低ゲートしきい値電圧2V
    最大ゲート-ソース間電圧±20 V
    パッケージタイプTO-220AB
    実装タイプスルーホール
    トランジスタ構成シングル
    ピン数3
    チャンネルモードエンハンスメント型
    カテゴリーパワーMOSFET
    最大パワー消費150 W
    標準ゲートチャージ @ Vgs110 nC @ 10 V
    1チップ当たりのエレメント数1
    標準入力キャパシタンス @ Vds1985 pF @ 25 V
    高さ8.77mm
    最大動作温度+175 °C
    トランジスタ素材Si
    Board Level ComponentsY
    標準ターンオン遅延時間7.6 ns
    最小動作温度-55 °C
    標準ターンオフ遅延時間157 ns
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