• RS品番 543-0945
  • メーカー/ブランド名 Infineon
  • メーカー 型番 IRFZ48VPBF
Infineon
Infineon Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 72 A, 3 ピン パッケージTO-220AB HEXFET シリーズ
詳細情報

NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon

InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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仕様
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チャンネルタイプN
最大連続ドレイン電流72 A
最大ドレイン-ソース間電圧60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗12 mΩ
最大ゲートしきい値電圧4V
最低ゲートしきい値電圧2V
最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V
パッケージタイプTO-220AB
実装タイプスルーホール
トランジスタ構成シングル
ピン数3
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
最大パワー消費150 W
1チップ当たりのエレメント数1
標準ゲートチャージ @ Vgs110 nC @ 10 V
標準入力キャパシタンス @ Vds1985 pF @ 25 V
標準ターンオフ遅延時間157 ns
標準ターンオン遅延時間7.6 ns
最小動作温度-55 °C
トランジスタ素材Si
高さ8.77mm
シリーズHEXFET
最大動作温度+175 °C
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