International Rectifier
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    • RS品番 543-0945
    • メーカー/ブランド名 International Rectifier
    • メーカー 型番 IRFZ48VPBF
    • RoHSステータス
      適合
    仕様
    1チップ当たりのエレメント数1
    カテゴリーパワーMOSFET
    チャンネルタイプN
    チャンネルモード強化
    パッケージタイプTO-220AB
    ピン数3
    実装タイプスルーホール
    最大ゲート-ソース間電圧±20 V
    最大ドレイン-ソース間抵抗0.012 Ω
    最大ドレイン-ソース間電圧60 V
    最大パワー消費150 W
    最大動作温度+175 °C
    最大連続ドレイン電流72 A
    最小動作温度-55 °C
    構成シングル
    標準ゲートチャージ @ Vgs110 nC V @ 10
    標準ターンオフ遅延時間157 ns
    標準ターンオン遅延時間7.6 ns
    標準入力キャパシタンス @ Vds1985 pF V @ 25
    高さ8.77mm
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    NチャンネルパワーMOSFET、60 A → 79 A、International Rectifier

    International RectifierのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、表面実装及びリード付きパッケージ内のNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウト及び熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれます。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

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    MOSFETトランジスタ、International Rectifier

    International Rectifier製の頑丈なシングル / デュアルNチャンネル及びPチャンネルデバイスの包括的なポートフォリオを使用すれば、高速スイッチングを実現し、AC-DC / DC-DC電源からオーディオや家庭用電化製品、モータ制御から照明や家庭用電気製品まで、多数の用途における様々な電源要件に対応できます。

    シングルパワーMOSFET、International Rectifier

    International Rectifier製のディスクリートHEXFET®パワーMOSFETには、ほとんどすべての基板レイアウトや熱設計の課題に対応する表面実装、リードパッケージ、及びフォームファクタのNチャンネル / Pチャンネルデバイスが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

    デュアルパワーMOSFET、International Rectifier

    International Rectifier製のデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET®デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高密度コンポーネントの設計において、省スペース、費用効率の高いスイッチングソリューションが実現します。 様々なパッケージオプションが用意されているので、デュアルNチャンネル、デュアルPチャンネル、又はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

    StrongIRFET™パワーMOSFET、International Rectifier

    International Rectifier製のStrongIRFET™ファミリは、RDS(on)を低くし、電流通過能力を高くするように最適化されています。 このポートフォリオは、性能と堅牢性が必要となるモータドライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理を含む低周波用途に最適な優れたゲート特性、アバランシェ特性、動的dv/dt耐久性を発揮します。

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