H55S2522JFR-E3 | SDRAMメモリ Hynix 256Mbit | RS
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メモリチップ・不揮発性メモリ・揮発性メモリ
/
SDRAM
SDRAMメモリ Hynix 256Mbit
RS品番:
668-6219
メーカー型番:
H55S2522JFR-E3
メーカー/ブランド名:
Hynix
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取扱終了
RS品番:
668-6219
メーカー型番:
H55S2522JFR-E3
メーカー/ブランド名:
Hynix
データシート
その他
詳細情報
仕様
Specification of 256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM
RoHSステータス: 適合
COO（原産国）:
KR
ダイナミック RAM 、 Hynix
特性
メモリサイズ
256Mbit
構成
8 M x 32ビット
データレート
166MHz
データバス幅
32bit
アドレスバス幅
15bit
1ワード当たりのビット数
32bit
最大ランダムアクセス時間
6ns
ワード数
2M
実装タイプ
表面実装
パッケージタイプ
FBGA
ピン数
90
寸法
13 x 8 x 0.61mm
高さ
0.61mm
長さ
13mm
動作温度 Min
-30 °C
動作供給電圧 Min
1.7 V
幅
8mm
動作温度 Max
+85 °C
動作供給電圧 Max
1.95 V
