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SRAM・スタティックRAM・エスラム
ルネサス, SRAM 4Mbit, 256 Kワード x 16ビット, 44-Pin R1LV0416DSB-5SI
RS品番:
380-476
メーカー型番:
R1LV0416DSB-5SI
メーカー/ブランド名:
Renesas Electronics
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取扱終了
RS品番:
380-476
メーカー型番:
R1LV0416DSB-5SI
メーカー/ブランド名:
Renesas Electronics
データシート
その他
詳細情報
仕様
4M SRAM (256-kword × 16-bit)
R1LV0416D Series_J
RoHSステータス: 該当なし
COO(原産国):
JP
ルネサスエレクトロニクス 低電力SRAM R1LVシリーズ
R1LVシリーズの低消費電力スタティックRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、バッテリバックアップを行うためのメモリ用途に適しています。
2.7 V→3.6 V単一電源
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
3ステート出力:OR接続機能
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)
特性
メモリサイズ
4Mbit
構成
256 Kワード x 16ビット
ワード数
256K
1ワード当たりのビット数
16bit
最大ランダムアクセス時間
55ns
アドレスバス幅
18bit
ローパワー
あり
タイミングタイプ
非シンクロナス
実装タイプ
表面実装
パッケージタイプ
TSOP
ピン数
44
寸法
18.41 x 10.16 x 1mm
高さ
1mm
動作供給電圧 Max
3.6 V
動作供給電圧 Min
2.7 V
幅
10.16mm
長さ
18.41mm
動作温度 Min
-40 °C
動作温度 Max
+85 °C