• RS品番 380-476
    • メーカー/ブランド名 Renesas Electronics
    • メーカー 型番 R1LV0416DSB-5SI
    Renesas Electronics
    ルネサス 4Mbit SRAM メモリ, 256 Kワード x 16ビット, 2.7 → 3.6 V, 44-Pin 3.6 V
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    詳細情報

    低消費電力SRAM、R1LVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス

    R1LVシリーズのアドバンスド低消費電力SRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、及びバッテリバックアップが重要な設計目標となっているメモリ用途に適しています。

    2.7 → 3.6 Vシングル電源
    低スタンバイ電流
    クロックなし、リフレッシュ不要
    入力 / 出力はすべてTTL対応
    スリーステート出力: OR結合対応

    SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)

    仕様
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    メモリサイズ4Mbit
    構成256 Kワード x 16ビット
    ワード数256K
    1ワード当たりのビット数16bit
    最大ランダムアクセス時間55ns
    アドレスバス幅18bit
    ローパワーY
    タイミングタイプ非シンクロナス
    実装タイプ表面実装
    パッケージタイプTSOP
    ピン数44
    寸法18.41 x 10.16 x 1mm
    高さ1mm
    最大動作温度+85 °C
    長さ18.41mm
    最大動作供給電圧3.6 V
    最小動作温度-40 °C
    10.16mm
    最小動作供給電圧2.7 V
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    データシート
    RoHSステータス: 該当なし
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