• RS品番 380-476
  • メーカー/ブランド名 Renesas Electronics
  • メーカー 型番 R1LV0416DSB-5SI
Renesas Electronics
ルネサス 4Mbit SRAM メモリ, 256 Kワード x 16ビット, 2.7 → 3.6 V, 44-Pin 3.6 V
詳細情報

低消費電力SRAM、R1LVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス

R1LVシリーズのアドバンスド低消費電力SRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、及びバッテリバックアップが重要な設計目標となっているメモリ用途に適しています。

2.7 → 3.6 Vシングル電源
低スタンバイ電流
クロックなし、リフレッシュ不要
入力 / 出力はすべてTTL対応
スリーステート出力: OR結合対応

SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)

この商品を比較リストに入れる
仕様
類似の商品を検索するには、ご希望の仕様特性にチェックを入れ、下の「検索」ボタンをクリックしてください。
メモリサイズ4Mbit
構成256 Kワード x 16ビット
ワード数256K
1ワード当たりのビット数16bit
最大ランダムアクセス時間55ns
アドレスバス幅18bit
ローパワーY
タイミングタイプ非シンクロナス
実装タイプ表面実装
パッケージタイプTSOP
ピン数44
寸法18.41 x 10.16 x 1mm
高さ1mm
10.16mm
最小動作供給電圧2.7 V
最小動作温度-40 °C
最大動作供給電圧3.6 V
長さ18.41mm
最大動作温度+85 °C
すべて選択
287 国内在庫あり - 通常1営業日でお届け
旧価格 ¥1,422.00
1,138.00
単価: 購入単位は1個
1 - 9
1,138.00
10 +
1,025.00
数量
在庫数の確認はここをクリック
包装の形態
プロダクションパッケージとは
リールやトレイなどに包装される形態です。お客様の機械にそのまま挿入できるため、製造の効率化に役立ちます。
データシート
RoHSステータス: 該当なし
シリーズ一覧
シリーズ一覧を閲覧

この商品をチェックしたお客様はこんな商品もチェックしています

よくある質問
お問合わせは次のメールアドレスまで
cs@rs-components.jp
045-335-8888(平日9:00-18:00)