Infineon, SRAM メモリ 16Mbit, 1 Mワード x 16ビット, 48-Pin CY62167DV30LL-55ZXI
- RS品番:
- 528-5278
- メーカー型番:
- CY62167DV30LL-55ZXI
- メーカー/ブランド名:
- Cypress Semiconductor
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- RS品番:
- 528-5278
- メーカー型番:
- CY62167DV30LL-55ZXI
- メーカー/ブランド名:
- Cypress Semiconductor
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Cypress Semiconductor | |
| メモリサイズ | 16Mbit | |
| 構成 | 1 Mワード x 16ビット | |
| ワード数 | 1M | |
| 1ワード当たりのビット数 | 16bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 55ns | |
| アドレスバス幅 | 20bit | |
| ローパワー | あり | |
| タイミングタイプ | 非シンクロナス | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 48 | |
| 寸法 | 12 x 18.4 x 1.05mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 幅 | 18.4mm | |
| 動作供給電圧 Min | 2.2 V | |
| 長さ | 12mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Cypress Semiconductor | ||
メモリサイズ 16Mbit | ||
構成 1 Mワード x 16ビット | ||
ワード数 1M | ||
1ワード当たりのビット数 16bit | ||
最大ランダムアクセス時間 55ns | ||
アドレスバス幅 20bit | ||
ローパワー あり | ||
タイミングタイプ 非シンクロナス | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 48 | ||
寸法 12 x 18.4 x 1.05mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
高さ 1.05mm | ||
幅 18.4mm | ||
動作供給電圧 Min 2.2 V | ||
長さ 12mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
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SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)