ルネサス, SRAM メモリ 4Mbit, 512 Kワード x 8ビット, 32-Pin
- RS品番:
- 767-5917
- メーカー型番:
- R1LV0408DSB-5SI#B0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
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- RS品番:
- 767-5917
- メーカー型番:
- R1LV0408DSB-5SI#B0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Renesas Electronics | |
| メモリサイズ | 4Mbit | |
| 構成 | 512 Kワード x 8ビット | |
| ワード数 | 512K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 55ns | |
| ローパワー | あり | |
| タイミングタイプ | 非シンクロナス | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | TSOP | |
| ピン数 | 32 | |
| 寸法 | 21.05 x 10.26 x 1mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 幅 | 10.26mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 長さ | 21.05mm | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Renesas Electronics | ||
メモリサイズ 4Mbit | ||
構成 512 Kワード x 8ビット | ||
ワード数 512K | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 55ns | ||
ローパワー あり | ||
タイミングタイプ 非シンクロナス | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ TSOP | ||
ピン数 32 | ||
寸法 21.05 x 10.26 x 1mm | ||
高さ 1mm | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
幅 10.26mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
長さ 21.05mm | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
ルネサスエレクトロニクス 低電力SRAM R1LVシリーズ
R1LVシリーズの低消費電力スタティックRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、バッテリバックアップを行うためのメモリ用途に適しています。
2.7 V→3.6 V単一電源
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
3ステート出力：OR接続機能
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
3ステート出力：OR接続機能
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)