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半導体,メモリ,S29JL032H90TFI420,NOR型Flashメモリ,32Mビット
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商品カテゴリーと階層
RS品番 631-1536
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仕様

ピン数   48
アｰキテクチャ   セクタ式
インタフェースタイプ   パラレル
最小動作温度   -40
バンク数   2
ブロック構成   非対称
OEアクセスタイム   35
ブートブロック   Y
アドレスバス幅   22/21
バンクサイズ   16/16
コマンド互換性   Y
ECCサポート   N
消去サスペンド / 再開サポート   Y
同時リード / ライトサポート   Y
共通フラッシュインタフェースサポート   Y
ページモードサポート   N
最大動作電流   16
最大ランダムアクセス時間   90
1ワード ビット数   8/16
密度   32
ワード数   4M/2M
プログラミング電圧   2.7 → 3.6, 8.5 → 9.5
セクタサイズ   8KByte x 8, 64KByte x 63
動作供給電圧 Typ   3, 3.3
最大動作温度   85
セルタイプ   NOR
ブートブロック配置   下
実装   表面実装
プログラム電流   30
製品幅   18.4
製品長さ   12
製品高さ   1
タイミングタイプ   非同期
サプライヤパッケージ   TSOP
この商品に関するデータならびに取扱説明書はございません。

シリーズ概要

フラッシュEPROM

フラッシュメモリはブロック単位で書き込み/消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。

概要

フラッシュメモリ、Spansion

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半導体,メモリ,S29JL032H90TFI420,NOR型Flashメモリ,32Mビット

 
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