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半導体,メモリ,MBM29F160TE-70TN-E1,NOR型Flashメモリ,16Mビット
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Spansion
商品カテゴリーと階層
RS品番 631-1744 メーカー/ブランド名 Spansion メーカー型番 MBM29F160TE-70TN-E1
最大数量時の単価 ￥776
数量 単価 / 購入単位は 
1 個
1 ￥1,330
15 ￥1,060
100 ￥820
250 ￥776
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仕様

1ワード ビット数   8/16Bit
ECCサポート   N
OEアクセスタイム   30
アドレスバス幅   21/20Bit
アｰキテクチャ   セクタ式
インタフェースタイプ   パラレル
コマンド互換性   Y
サプライヤパッケージ   TSOP-I
セクタサイズ   8KByte x 2, 16KByte x 1, 32KByte x 1, 64KByte x 31
セルタイプ   NOR
タイミングタイプ   非同期
ピン数   48
ブロック構成   非対称
ブートブロック   Y
ブートブロック配置   上
プログラミング電圧   5
プログラム電流   60mA
ページモードサポート   N
ワード数   2M/1M
共通フラッシュインタフェースサポート   Y
動作供給電圧 Typ   5V
同時リード / ライトサポート   N
実装   表面実装
密度   16MBit
最大ランダムアクセス時間   70ns
最大動作温度   85°C
最大動作電流   50mA
最小動作温度   -40°C
消去サスペンド / 再開サポート   Y
製品幅   18.4
製品長さ   12
製品高さ   1
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この商品に関するデータならびに取扱説明書はございません。

シリーズ概要

フラッシュEPROM

フラッシュメモリはブロック単位で書き込み/消去が行われる不揮発性のRAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。

半導体,メモリ,MBM29F160TE-70TN-E1,NOR型Flashメモリ,16Mビット

概要

フラッシュメモリ、Spansion

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