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MMBTA56-7-F

バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタ(Bipolar transistor)は、半導体のPN接合によって構成されたトランジスタです。接合型トランジスタとも呼ばれています。バイポーラトランジスタは最初に広く使われたトランジスタであるため、単にトランジスタと言う時にはバイポーラトランジスタを指すことが多い。


PNPトランジスタとNPNトランジスタ


バイポーラトランジスタは接合構造により、NPN(エヌピーエヌ)バイポーラトランジスタとPNP(ピーエヌピー)バイポーラトランジスタに分けられます。

  • NPNトランジスタ - コレクタとエミッタがN型半導体、ベースがP型半導体で構成されます。ベース-エミッタ間に電圧を印加すると、エミッタ層に電子が注入されます。電子はベース側へ流れ込み、一部はベース層内の正孔にトラップされベース電流となります。

  • PNPトランジスタ - コレクタとエミッタがP型半導体、ベースがN型半導体で構成されます。NPNトランジスタとは逆に、正孔がベース側へ移動し、一部が電子と結合してベース電流となります。大部分の正孔はコレクタ層に達し、エミッタからコレクタへ電流が流れます。

バイポーラトランジスタの用途


バイポーラトランジスタは、電流の増幅やスイッチング、交流電流から直流電流への変換などに使用される半導体素子です。極端な大電力や高周波などを除けば、高い増幅率や優れた量産適性で廉価に入手できることから、民生・産業・航空宇宙・防衛の全ての分野で幅広く利用されています。

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