Infineon CoolSiC 2000 V SiC トレンチMOSFETは、高性能アプリケーション向けに設計された最先端のソリューションです。

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Infineonのソフトスイッチング650 V・30 A エミッタ制御7世代シリコンダイオードで、TO-247 リード成形（2ピン）パッケージを採用しています。

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Infineon TRENCHSTOP IGBT7 PR7（TO-247 3ピン、高絶縁距離・クリアランスパッケージ）は、RAC/CACやHVAC用途のブーストPFCステージ向けに最適化されています。

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ON SemiconductorのMOSFETは、F2パッケージにHPS DBCを採用したサーミスター付き、6 mΩ / 1200 V SiC MOSFETハーフブリッジを内蔵するパワーモジュールです。

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The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higherreliability compared to Silicon.

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ON Semiconductorの汎用中電力トランジスタは、汎用アンプアプリケーション向けに設計されています。

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STMicroelectronicsのトランジスタは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリシックダーリントン構成を採用した平面技術で製造されています。

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STMicroelectronicsのSLLIMM（小型低損失インテリジェントモールドモジュール）は、シンプルで堅牢な設計で、コンパクトかつ高性能なACモータードライブを提供します。

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ROHMのショットキーバリアダイオードは、スイッチング電源や逆接続保護などの堅牢な用途向けに設計されています。

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ROHMのTVSダイオードは、電子機器のESD保護向けに特別に設計されており、電圧スパイクに対する優れた防護性能を提供します。

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SemikronのSiC MOSFET WSは、3レベル1200 V平面型Gen3設計を特徴とし、定格電流134 Aを持ち、性能向上のために1200 V Generation 7 IGBT M7を搭載しています。

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Vishayの標準リカバリーダイオードは、工業用途向けに設計されており、85 Aの定格電流を持ち、リード付きバージョンも利用可能で、最大1600 V VRRMまでの電圧に対応します。

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Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器です。このシリーズの整流器は、成形エポキシボディで、DO-201ADパッケージです。

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ON Semiconductor は、新しい設計に取り組んでいる場合でも購入している場合でも、業界標準のダイオードと整流器、小信号ダイオード、ショットキー / ツェナーダイオードを提供しています。

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Vishayの1N5400-1N5408は、汎用整流器です。このシリーズの整流器は、成形エポキシボディで、DO-201ADパッケージです。

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ロームのスイッチングダイオードは、ダイオードアレイも取り揃えており、信頼性の高いパッケージと安定した供給力で幅広い用途に適しています。

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強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。

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Vishay 1N4001 → 1N4007シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。

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Vishay 1N4001 → 1N4007シリーズの1 A整流ダイオードは、汎用用途向けに設計されています。25.4 mmスズめっきリード付きのDO-204AL (DO-41)プラスチックパッケージに収められています。

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東芝 高速スイッチングダイオード

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