Silicon Carbide
自然な形の炭化ケイ素（SiC）は、太陽系よりも古い可能性がありますが、地球の未来を確実にするのに役立つ21世紀の炭化ケイ素トランジスタです。 SiCは、より高い電力密度やより優れた効率など、従来のシリコン技術に比べてかなりの利点を提供します。これにより、SiCは、発電、変換、配電、および貯蔵におけるエネルギー処理アプリケーションに最適です。これらの効率の向上とコンポーネントサイズの利点は、より持続可能な製品設計を実現するのに役立ち、インフィニオン、オンセミ、STMicroelectronics、ROHMなどのブランドからSiCコンポーネントの範囲を拡大し続けています。
シリコンカーバイド製品ラインナップ
onsemi SiC Diodes
ONSEMI SiCダイオードには、自動車および産業用アプリケーション向けに特別に設計されたAEC-Q101認定およびPPAP対応のオプションが含まれています。
2ASC-12A1HP 1200V SiC Driver
Microchip AgileSwitch 1200Vデュアルチャネル拡張高性能SiCドライバーコア、および互換性のあるモジュールとボード。
2ASC-17A1HP 1700V SiC Driver
Microchip AgileSwitch 1700Vデュアルチャネル拡張高性能SiCドライバーコア、および互換性のあるモジュールとボード。
Infineon SiC MOSFETs
Infineon CoolSiC™SiCMOSFETは、パフォーマンスと信頼性の組み合わせを支援する最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて構築されています。
Infineon SiC Diodes
The Infineon CoolSiC™ SiC Schottky Barrier diodes offer low-loss turn-off, low static losses and increased surge current capability.
