- RS品番:
- 163-9747
- メーカー型番:
- BALF-ATM-01E3
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
取扱終了
- RS品番:
- 163-9747
- メーカー型番:
- BALF-ATM-01E3
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
データシート
その他
詳細情報
このバランは、STのプロセスによって、1枚のガラス基板上に高品質のRF受動部品が集積されています。平衡 / 不平衡変換に加えて、1 mm²未満の占有面積で完全に機能する整合回路を集積することもできます。占有面積1.2 mm²のSTの最新のバラン、BALF-NRG-02D3は、STのBlueNRG-1及び新しいBlueNRG-2のトランシーバ用に最適化されており、RFの複雑さを解消し、リンクバジェットを最適化します。
STMicroelectronicsのBALF-ATM-01E3は集積バランです。モノリシックガラス基板に整合回路も集積しています。整合インピーダンスは、ATMELチップ用にカスタマイズされています。このデバイスは、STMicroelectronicsのIPD技術を利用して非導電性ガラス基板上に構築され、RF性能を最適化しています。
整合回路を内蔵した2.4 → 2.5 GHzバラン
ATSAMR21E18チップセットに最適化された整合
低挿入損失
低振幅不均衡
低位相不均衡
ガラスにCSPコーティング、バンプレス
省スペース: 2.5 mm²
ATSAMR21E18チップセットに最適化された整合
低挿入損失
低振幅不均衡
低位相不均衡
ガラスにCSPコーティング、バンプレス
省スペース: 2.5 mm²
仕様
特性 | |
---|---|
アンバランスインピーダンス | 50Ω |
バランスインピーダンス | 50Ω |
最大挿入損失 | 1.3dB |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 6 |
寸法 | 2.1 x 1.35 x 0.455mm |
高さ | 0.455mm |
長さ | 2.1mm |
幅 | 1.35mm |
最大周波数 | 2.5GHz |
最小周波数 | 2400MHz |
動作温度 Max | +105°C |
動作温度 Min | -40°C |