Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, RN1102MFV(TPL3)
- RS品番:
- 580-058
- メーカー型番:
- RN1102MFV(TPL3)
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
取扱終了
- RS品番:
- 580-058
- メーカー型番:
- RN1102MFV(TPL3)
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
その他
- COO（原産国）:
- JP
詳細情報
東芝 BRT シリーズ VESM 抵抗内蔵トランジスタ
デジタルトランジスタ、 Toshiba
「デジタルトランジスタ」、「バイアス抵抗器トランジスタ」としても知られている、抵抗器を備えたバイポーラトランジスタです。内蔵抵抗器を1つ又は2つ組み込んでいます。単一の直列入力抵抗器、又は2つの抵抗器の分圧回路により、これらのデバイスをデジタルソースから直接駆動できます。シングルトランジスタバージョンとデュアルトランジスタバージョンをご用意しています。
仕様
特性 | |
|---|---|
| トランジスタタイプ | NPN |
| 最大DCコレクタ電流 | 100 mA |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 50 V |
| パッケージタイプ | VESM |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大エミッタ-ベース間電圧 | 10 V |
| ピン数 | 3 |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| ベースエミッタ抵抗器 | 10kΩ |
| 標準抵抗比 | 1 |
| 寸法 | 1.2 x 0.8 x 0.5mm |
| 標準入力抵抗 | 10 kΩ |
| 動作温度 Max | +150 °C |