Toshiba NPN 抵抗内蔵トランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin ESM

  • RS品番 540-6453
  • メーカー型番 RN1101(F)
  • メーカー/ブランド名 Toshiba
データシート
その他
RoHSステータス: 適合
COO(原産国): JP
詳細情報

抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝

内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能
幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合
RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助
用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路
SSMパッケージ

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デジタルトランジスタ、 Toshiba

「デジタルトランジスタ」、「バイアス抵抗器トランジスタ」としても知られている、抵抗器を備えたバイポーラトランジスタです。内蔵抵抗器を1つ又は2つ組み込んでいます。単一の直列入力抵抗器、又は2つの抵抗器の分圧回路により、これらのデバイスをデジタルソースから直接駆動できます。シングルトランジスタバージョンとデュアルトランジスタバージョンをご用意しています。

仕様
特性
トランジスタタイプ NPN
1チップ当たりのエレメント数 1
最大連続コレクタ電流 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 50 V
標準入力抵抗 4.7 kΩ
実装タイプ 表面実装
パッケージタイプ ESM
ピン数 3
最小DC電流ゲイン 30
トランジスタ構成 シングル
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 0.3 V
最大エミッタ-ベース間電圧 10 V
標準抵抗比 1
長さ 1.6mm
寸法 1.6 x 0.8 x 0.7mm
0.8mm
動作温度 Min -55 °C
高さ 0.7mm
動作温度 Max +150 °C
460 国内在庫あり - 通常1営業日でお届け
単価: 購入単位は5個
39.00
(税抜)
42.90
(税込)
単価
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5 - 20
¥39.00
¥195.00
25 - 120
¥31.40
¥157.00
125 - 245
¥25.80
¥129.00
250 - 495
¥22.00
¥110.00
500 +
¥18.20
¥91.00
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