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    Cypress Semiconductor FRAMメモリ, 4Mbit, TSOP, パラレル, FM22L16-55-TG

    RS品番:
    125-4206P
    メーカー型番:
    FM22L16-55-TG
    メーカー/ブランド名:
    Cypress Semiconductor
    Cypress Semiconductor
    強誘電体メモリ(FRAM) の一覧へ
    取扱終了
    RS品番:
    125-4206P
    メーカー型番:
    FM22L16-55-TG
    メーカー/ブランド名:
    Cypress Semiconductor

    その他


    詳細情報

    F-RAM 、 Cypress Semiconductor


    強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。

    不揮発性強誘電体RAMメモリ
    高速書き込み
    高耐久性
    低消費電力


    FRAM (強誘電体RAM)


    FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。

    仕様

    特性Value
    メモリサイズ4Mbit
    構成256 K x 16ビット
    インターフェースタイプパラレル
    最大ランダムアクセス時間55ns
    実装タイプ表面実装
    パッケージタイプTSOP
    ピン数44
    寸法18.51 x 10.26 x 1.04mm
    動作供給電圧 Max3.6 V
    動作温度 Max+85 °C
    1ワード当たりのビット数16bit
    ワード数256K
    動作温度 Min-40 °C
    動作供給電圧 Min2.7 V
    取扱終了