Infineon FRAMメモリ, 4Mbit, DFN, シリアル-SPI, CY15B104Q-LHXI
- RS品番:
- 181-1548
- メーカー型番:
- CY15B104Q-LHXI
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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単価： 購入単位は74個
￥3,682.811
(税抜)
￥4,051.092
(税込)
| 個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
| 74 - 74 | ￥3,682.811 | ￥272,528.014 |
| 148 - 666 | ￥3,609.149 | ￥267,077.026 |
| 740 - 1036 | ￥3,536.959 | ￥261,734.966 |
| 1110 - 1406 | ￥3,466.23 | ￥256,501.02 |
| 1480 + | ￥3,396.905 | ￥251,370.97 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 181-1548
- メーカー型番:
- CY15B104Q-LHXI
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
4 M ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）論理
512 K x 8 として構成
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 40 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
300 A アクティブ電流 @ 1 MHz
スタンバイ電流： 100 A （標準
スリープモード電流： 3 A （標準
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラット NO リード（ TDFN ）パッケージ
512 K x 8 として構成
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 40 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
300 A アクティブ電流 @ 1 MHz
スタンバイ電流： 100 A （標準
スリープモード電流： 3 A （標準
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラット NO リード（ TDFN ）パッケージ
仕様
特性 | |
|---|---|
| メモリサイズ | 4Mbit |
| 構成 | 512 kB x 8 |
| インターフェースタイプ | シリアル-SPI |
| データバス幅 | 8bit |
| 最大ランダムアクセス時間 | 16ns |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| パッケージタイプ | DFN |
| ピン数 | 8 |
| 寸法 | 6 x 5 x 0.7mm |
| 長さ | 5mm |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V |
| 幅 | 6mm |
| 高さ | 0.7mm |
| 動作温度 Max | +85 °C |
| 動作温度 Min | -40 °C |
| ワード数 | 512K |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit |
| 動作供給電圧 Min | 2 V |