Infineon FRAMメモリ, 2Mbit, DFN, シリアル-SPI, FM25V20A-DGQ

2 M ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）論理
256 K x 8 として構成されています
高耐久性の読み取り / 書き込み 10 兆（ 1014
121 年のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 33 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
デバイス ID
メーカー ID と製品 ID
低消費電力
アクティブ電流： 3 mA @ 33 MHz
スタンバイ電流： 400  A
12  A スリープモード電流
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
拡張温度：– 40 → +105 ° C
8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです