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    Infineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, SPI, FM25C160B-G

    RS品番:
    188-5411
    メーカー型番:
    FM25C160B-G
    メーカー/ブランド名:
    Infineon
    Infineon
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    194 - 291¥290.515¥28,179.955
    388 +¥284.268¥27,573.996
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    188-5411
    メーカー型番:
    FM25C160B-G
    メーカー/ブランド名:
    Infineon
    COO(原産国):
    US

    その他

    COO(原産国):
    US

    詳細情報

    F-RAM 、 Cypress Semiconductor


    強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。

    不揮発性強誘電体RAMメモリ
    高速書き込み
    高耐久性
    低消費電力


    FRAM (強誘電体RAM)


    FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。

    仕様

    特性Value
    メモリサイズ16kbit
    構成2 K x 8ビット
    インターフェースタイプSPI
    データバス幅8bit
    実装タイプ表面実装
    パッケージタイプSOIC
    ピン数8
    寸法4.97 x 3.98 x 1.48mm
    動作供給電圧 Max5.5 V
    動作温度 Max+85 °C
    自動車規格AEC-Q100
    1ワード当たりのビット数8bit
    動作供給電圧 Min4.5 V
    動作温度 Min-40 °C
    ワード数2k
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