Cypress Semiconductor FRAMメモリ, 4Mbit, GQFN, シリアル-SPI, CY15V104QI-20LPXI

Advanced フェロエレクトリックプロセスを採用した、低消費電力、 4 Mbit の不揮発性メモリ。強誘電性ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は不揮発性で、 RAM と同様に読み取りと書き込みを実行します。シリアルフラッシュ、 EEPROM 、およびその他の不揮発性メモリによって発生する複雑さ、オーバーヘッド、およびシステムレベルの信頼性の問題を排除しながら、 151 年間の信頼性の高いデータ保持を提供します。シリアルフラッシュや EEPROM とは異なり、バス速度での書き込み動作を実行します。データは、各バイトがデバイスに正常に転送された直後にメモリアレイに書き込まれます。次のバスサイクルは、データポーリングを必要とせずに開始できます。この製品は、他の不揮発性メモリよりも優れた書き込み耐久性を発揮します。1015 の読み取り / 書き込みサイクル、又は EEPROM より 1 、 000 万回の書き込みサイクルをサポート可能頻繁または Rapid の書き込みを必要とする不揮発性メモリアプリケーションに最適です。ハードウェアのドロップイン交換として、シリアル EEPROM 又はフラッシュを使用するユーザーに大きな利点があります。