FRAM Cypress Semiconductor

データシート
その他
RoHSステータス: 適合
COO(原産国): TH
詳細情報

F-RAM、Cypress Semiconductor

強誘電体RAM (F-RAM)は、省エネを特長とし、シリアル及びパラレルの両方のインターフェイスに対応した最も信頼性の高い不揮発性RAMです。 接尾辞Aの付く部品は、車載用途向けに設計されており、AEC-Q100認定を受けています。

不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み
高耐久性
低消費電力

FRAM (強誘電体RAM)

FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。

仕様
特性
メモリサイズ 2Mbit
構成 256 K x 8ビット
インターフェースタイプ SPI
データバス幅 8bit
実装タイプ 表面実装
パッケージタイプ TDFN
ピン数 8
寸法 5 x 6 x 0.75mm
長さ 5mm
動作供給電圧 Max 3.6 V
6mm
高さ 0.75mm
動作温度 Max +85 °C
動作温度 Min -40 °C
1ワード当たりのビット数 8bit
動作供給電圧 Min 2.7 V
ワード数 256K
取扱終了