- RS品番:
- 193-650
- メーカー型番:
- MII200-12A4
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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5 - 9 | ¥13,930.00 |
10 - 19 | ¥13,656.00 |
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- RS品番:
- 193-650
- メーカー型番:
- MII200-12A4
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
IGBTモジュール、IXYS
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続コレクタ電流 | 270 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
回路構成 | シリーズ |
パッケージタイプ | Y3 DCB |
実装タイプ | スクリュー マウント |
チャンネルタイプ | N |
ピン数 | 7 |
トランジスタ構成 | シリーズ |
寸法 | 110 x 62 x 30mm |
動作温度 Min | -40 °C |
動作温度 Max | +150 °C |
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