富士電機 Nチャンネル IGBTモジュール 600 V 200 A, 7-Pin M263 シリーズ

Vシリーズ、第6世代フィールドストップ
U / U4シリーズ、第5世代フィールドストップ
Sシリーズ、第4世代NPT

IGBTディスクリート&モジュール、富士電機

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。