onsemi IGBTモジュール 1000 V 303 A Q2PACK（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用） 4
- RS品番:
- 245-6974
- メーカー型番:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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￥60,821.00
(税抜)
￥66,903.10
(税込)
| 個 | 単価 |
| 1 - 1 | ￥60,821.00 |
| 2 - 16 | ￥54,063.00 |
| 17 - 22 | ￥48,657.00 |
| 23 - 29 | ￥44,233.00 |
| 30 + | ￥40,547.00 |
- RS品番:
- 245-6974
- メーカー型番:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
Si/SiCハイブリッドモジュール - EliteSiC、I型NPC 1000 V、350 A IGBT、1200 V、100 A SiCダイオード、Q2パッケージ 圧入ピン
ON Semiconductorの3レベルNPC Q2Packモジュールは、高性能IGBTと堅牢なアンチパラレルダイオードを組み合わせた高密度集積電源モジュールです。
フィールドストップ技術による極めて効率的なトレンチ
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
低パッケージ高さ
鉛不使用、ハロゲン不使用、RoHS対応
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
低パッケージ高さ
鉛不使用、ハロゲン不使用、RoHS対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 303 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1000 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| 最大パワー消費 | 592 W |
| トランジスタ数 | 4 |
| パッケージタイプ | Q2PACK（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用） |
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