Infineon Nチャンネル IGBT 1200 V 80 A, 3-Pin TO-274AA シングル

中周波用途向けに最適化された高速応答のIGBTにより、 最高レベルの効率を実現します。IGBTの性能を最大限に引き出すために最適化されたFREDダイオードを利用します。

IGBTトランジスタ、International Rectifier

International Rectifierは、スイッチング損失及び導電損失を最小限に抑えて、効率の向上、熱による問題の軽減、電力密度の向上を実現する様々な技術をベースに、300～1200 VのIGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を幅広く提供しています。 また、中～高パワーモジュール専用のIGBTダイも各種取り揃えています。 最高の信頼性が求められるモジュールの場合は、はんだ濡れ性の前面金属(SFM)ダイを使用し、ワイヤのボンディング処理をなくすことで両面冷却を可能にして、熱的性能、信頼性、効率性を向上させることができます。