- RS品番:
- 808-0234
- メーカー型番:
- IXYX120N120C3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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¥5,539.00
(税抜)
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(税込)
個 | 単価 |
1 - 6 | ¥5,539.00 |
7 - 13 | ¥5,378.00 |
14 - 18 | ¥5,072.00 |
19 - 24 | ¥4,373.00 |
25 + | ¥4,227.00 |
- RS品番:
- 808-0234
- メーカー型番:
- IXYX120N120C3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
IGBTディスクリート、IXYS XPTシリーズ
IXYSのXPT™シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。 これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。
高電力密度及び低VCE (sat)
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成
10 μsの短絡耐量
オン状態電圧の正温度係数
オプションのSonic-FRD™又はHiPerFRED™ダイオード付属
国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、IXYS
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続コレクタ電流 | 240 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
最大パワー消費 | 1500 W |
パッケージタイプ | PLUS247 |
実装タイプ | スルーホール |
チャンネルタイプ | N |
ピン数 | 3 |
スイッチングスピード | 50kHz |
トランジスタ構成 | シングル |
寸法 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
動作温度 Min | -55 °C |
動作温度 Max | +175 °C |
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