IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 86 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- RS品番:
- 193-464
- メーカー型番:
- IXFN102N30P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- 193-464
- メーカー型番:
- IXFN102N30P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 86 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 300 V |
| パッケージタイプ | SOT-227 |
| シリーズ | HiperFET, Polar |
| 実装タイプ | スクリュー マウント |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 33 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最大パワー消費 | 570000 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 38.23mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 224 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 25.42mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 9.6mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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