Renesas Electronics Pチャンネル MOSFET60 V 10 A 表面実装 パッケージDPAK-S (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 121-6881
- メーカー型番:
- 2SJ529STR-E
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
- RS品番:
- 121-6881
- メーカー型番:
- 2SJ529STR-E
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
- COO（原産国）:
- MY
詳細情報
Renesas Electronics （ NEC ） P チャンネル MOSFET
MOSFETトランジスタ、ルネサスエレクトロニクス(NEC)
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 10 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | DPAK-S (TO-252) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 240 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大パワー消費 | 20 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 6.5mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 5.5mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.2V |
| 高さ | 2.3mm |