IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 86 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- RS品番:
- 168-4467
- メーカー型番:
- IXFN102N30P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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単価： 購入単位は10個
￥3,257.00
(税抜)
￥3,582.70
(税込)
| 個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
| 10 - 40 | ￥3,257.00 | ￥32,570.00 |
| 50 - 90 | ￥3,191.80 | ￥31,918.00 |
| 100 - 240 | ￥3,128.00 | ￥31,280.00 |
| 250 - 490 | ￥3,065.40 | ￥30,654.00 |
| 500 + | ￥3,004.20 | ￥30,042.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 168-4467
- メーカー型番:
- IXFN102N30P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 86 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 300 V |
| シリーズ | HiperFET, Polar |
| パッケージタイプ | SOT-227 |
| 実装タイプ | スクリュー マウント |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 33 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最大パワー消費 | 570 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 224 nC @ 10 V |
| 長さ | 38.23mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 25.42mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 9.6mm |
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