ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA スルーホール パッケージTO-92 3 ピン

  • RS品番 169-8553
  • メーカー型番 2N7000
  • メーカー/ブランド名 ON Semiconductor
データシート
その他
RoHSステータス: 適合
COO(原産国): GB
詳細情報

強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor

強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

仕様
特性
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 200 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
パッケージタイプ TO-92
実装タイプ スルーホール
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 5 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 0.8V
最大パワー消費 400 mW
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数 1
動作温度 Min -55 °C
4.19mm
長さ 5.2mm
トランジスタ素材 Si
動作温度 Max +150 °C
高さ 5.33mm
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