onsemi Nチャンネル MOSFET1200 V 44 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

シリコンカーバイド（ SiC ） MOSFET は、まったく新しい技術によって、シリコンよりも優れたスイッチング性能と信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

1200 V 定格
最大 RDS （ on ） = 110 m Ω @ Vgs = 20 V 、 Id = 20 A
高速スイッチング及び低静電容量
鉛フリー
用途
PFC
オブリティッシュ
最終製品
EV / PHEV 用の車載 DC/DC コンバータです
車載オンボード充電器
自動車用補助モータ駆動

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