ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET1200 V 44 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
- RS品番:
- 189-0416
- メーカー型番:
- NTHL080N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
- RS品番:
- 189-0416
- メーカー型番:
- NTHL080N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
データシート
その他
詳細情報
シリコンカーバイド（ SiC ） MOSFET は、まったく新しい技術によって、シリコンよりも優れたスイッチング性能と信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。
1200 V 定格
最大 RDS （ on ） = 110 m Ω @ Vgs = 20 V 、 Id = 20 A
高速スイッチング及び低静電容量
用途
PFC
ブーストインバータ
PV 充電
最終製品
ソーラーインバータ
ネットワーク電源
サーバー電源
最大 RDS （ on ） = 110 m Ω @ Vgs = 20 V 、 Id = 20 A
高速スイッチング及び低静電容量
用途
PFC
ブーストインバータ
PV 充電
最終製品
ソーラーインバータ
ネットワーク電源
サーバー電源
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 44 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
| パッケージタイプ | TO-247 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 162 m Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1.8V |
| 最大パワー消費 | 348 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -15 V 、 +20 V |
| 長さ | 15.87mm |
| トランジスタ素材 | SiC |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 4.82mm |
| 高さ | 20.82mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 順方向ダイオード電圧 | 4V |