- RS品番:
- 202-5702
- メーカー型番:
- NTH4L160N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は450個
¥919.658
(税抜)
¥1,011.624
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
450 - 450 | ¥919.658 | ¥413,846.10 |
900 - 4050 | ¥901.264 | ¥405,568.80 |
4500 - 6300 | ¥883.24 | ¥397,458.00 |
6750 - 8550 | ¥865.576 | ¥389,509.20 |
9000 + | ¥848.264 | ¥381,718.80 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 202-5702
- メーカー型番:
- NTH4L160N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-4L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、TO-247-4L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 17.3 Ampere 及び 1200 V で動作します。無停電電源、 DC/DC コンバータ、ブーストインバータで使用できます。
160 m Ω のドレイン - ソース間の抵抗
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
超低ゲート電荷
アバランシェ100 %テスト済み
鉛フリー
RoHS対応
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 17.3 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
パッケージタイプ | TO-247-4 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 4 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.224 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | SiC |
シリーズ | NTH |
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