onsemi Nチャンネル MOSFETトランジスタ1200 V 60 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 7 ピン
- RS品番:
- 202-5730
- メーカー型番:
- NVBG040N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価： 購入単位は800 個
￥5,875.00
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(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 800 - 800 | ￥5,875.00 | ￥4,700,000.00 |
| 1600 - 1600 | ￥5,757.499 | ￥4,605,999.20 |
| 2400 - 2400 | ￥5,642.349 | ￥4,513,879.20 |
| 3200 - 3200 | ￥5,529.503 | ￥4,423,602.40 |
| 4000 + | ￥5,418.913 | ￥4,335,130.40 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 202-5730
- メーカー型番:
- NVBG040N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK−7LシリコンカーバイドMOSFET、N?チャンネル、1200 V、40 m?, D2PAK?7L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 60 アンペアと 1200 V で動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータの用途で使用できます。
AEC Q101 認定
製造部品承認プロセス対応
アバランシェ100 %テスト済み
低実効出力静電容量
製造部品承認プロセス対応
アバランシェ100 %テスト済み
低実効出力静電容量
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 60 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | NVB |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 7 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.056 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | SiC |
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