onsemi Nチャンネル MOSFETトランジスタ1200 V 60 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 7 ピン
- RS品番:
- 202-5731
- メーカー型番:
- NVBG040N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 2 - 38 | ￥7,382.50 | ￥14,765.00 |
| 40 - 378 | ￥7,167.50 | ￥14,335.00 |
| 380 - 498 | ￥6,660.00 | ￥13,320.00 |
| 500 - 638 | ￥6,365.00 | ￥12,730.00 |
| 640 + | ￥6,152.50 | ￥12,305.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 202-5731
- メーカー型番:
- NVBG040N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、40モーム、1200 V、M1、D2PAK−7LシリコンカーバイドMOSFET、N?チャンネル、1200 V、40 m?, D2PAK?7L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 60 アンペアと 1200 V で動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータの用途で使用できます。
AEC Q101 認定
製造部品承認プロセス対応
アバランシェ100 %テスト済み
低実効出力静電容量
製造部品承認プロセス対応
アバランシェ100 %テスト済み
低実効出力静電容量
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 60 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | NVB |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 7 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.056 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
| トランジスタ素材 | SiC |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
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