onsemi Nチャンネル MOSFETトランジスタ1200 V 29 A スルーホール パッケージTO-247-4 4 ピン
- RS品番:
- 202-5739
- メーカー型番:
- NVH4L080N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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| 900 - 4050 | ￥3,254.94 | ￥1,464,723.00 |
| 4500 - 6300 | ￥3,189.84 | ￥1,435,428.00 |
| 6750 - 8550 | ￥3,126.042 | ￥1,406,718.90 |
| 9000 + | ￥3,063.522 | ￥1,378,584.90 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 202-5739
- メーカー型番:
- NVH4L080N120SC1
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET、Nチャンネル - EliteSiC、80モーム、1200 V、M1、TO247−4LシリコンカーバイドMOSFET、N?チャンネル、1200 V、80 m?, TO247?4L
ON Semiconductor シリコンカーバイドパワー MOSFET は、 29 A 、 1200 V で動作します。車載オンボード充電器、 DC / DC コンバータ、車載補助モータ駆動用途で使用できます。
AEC Q101 認定
アバランシェ100 %テスト済み
低実効出力静電容量
RoHS対応
アバランシェ100 %テスト済み
低実効出力静電容量
RoHS対応
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仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 29 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
| パッケージタイプ | TO-247-4 |
| シリーズ | NVH |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.08 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.3V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | SiC |
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