onsemi Nチャンネル MOSFET1200 V 58 A 表面実装 パッケージ D2PAK-7L
- RS品番:
- 254-7660
- メーカー型番:
- NTBG022N120M3S
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価： 購入単位は800 個
￥2,786.539
(税抜)
￥3,065.193
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 800 - 800 | ￥2,786.539 | ￥2,229,231.20 |
| 1600 - 1600 | ￥2,730.808 | ￥2,184,646.40 |
| 2400 - 2400 | ￥2,676.191 | ￥2,140,952.80 |
| 3200 - 3200 | ￥2,622.668 | ￥2,098,134.40 |
| 4000 + | ￥2,570.214 | ￥2,056,171.20 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 254-7660
- メーカー型番:
- NTBG022N120M3S
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、22モーム、1200 V、M3S、D2PAK-7L
ON Semiconductor NTBシリーズの平面シックモスフェットは、高速スイッチング用途向けに最適化されています。平面テクノロジーは、負のゲート電圧ドライブとゲート上のスパイクをオフにすることで信頼性が高く動作します。このファミリは、18 Vゲートドライブで駆動するときに最適な性能を発揮しますが、15 Vゲートドライブでも優れた性能を発揮します。
100 %バランステスト済み、パワー密度向上ゲートドライブ電圧: 15 → 18 V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 58 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
| パッケージタイプ | D2PAK-7L |
| 実装タイプ | 表面実装 |
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