Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET55 V 82 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 641-6079
- メーカー型番:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
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| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 5 - 120 | ￥203.60 | ￥1,018.00 |
| 125 - 1245 | ￥197.40 | ￥987.00 |
| 1250 - 2495 | ￥158.20 | ￥791.00 |
| 2500 - 4995 | ￥138.60 | ￥693.00 |
| 5000 + | ￥119.00 | ￥595.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 641-6079
- メーカー型番:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
- COO（原産国）:
- JP
詳細情報
Nチャンネル低電圧MOSFET、最大140V、ルネサスエレクトロニクス
MOSFETトランジスタ、ルネサスエレクトロニクス(NEC)
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 82 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 55 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 5 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最大パワー消費 | 1.8 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 10mm |
| 幅 | 9.15mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 4.45mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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