Renesas Electronics Pチャンネル MOSFET60 V 120 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 4 ピン

データシート
その他
RoHSステータス: 適合
詳細情報

P チャンネル MOSFET 、 Renesas Electronics ( NEC )

MOSFETトランジスタ、ルネサスエレクトロニクス(NEC)

仕様
特性
チャンネルタイプ P
最大連続ドレイン電流 120 A
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
パッケージタイプ IPAK (TO-251)
実装タイプ スルーホール
ピン数 4
最大ドレイン-ソース間抵抗 46 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2.5V
最大パワー消費 65 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数 1
長さ 6.5mm
標準ゲートチャージ @ Vgs 63 nC @ 10 V
7mm
動作温度 Max +150 °C
高さ 2.3mm
トランジスタ素材 Si
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