Renesas Electronics Pチャンネル MOSFET60 V 6 A 表面実装 パッケージSOT-346T (SC-96) 3 ピン
- RS品番:
- 772-5276
- メーカー型番:
- 2SJ626-T1B-A
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
- RS品番:
- 772-5276
- メーカー型番:
- 2SJ626-T1B-A
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
詳細情報
Renesas Electronics （ NEC ） P チャンネル MOSFET
MOSFETトランジスタ、ルネサスエレクトロニクス(NEC)
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 6 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | SOT-346T (SC-96) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 550 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最大パワー消費 | 1.25 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 1.5mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| 長さ | 2.9mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 1mm |