Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET43 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-346 3 ピン
- RS品番:
- 772-5425
- メーカー型番:
- 2SK3408-T1B-A
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
800 国内在庫あり - 通常1営業日でお届け
追加されました
単価： 購入単位は20個
￥41.50
(税抜)
￥45.65
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 20 - 480 | ￥41.50 | ￥830.00 |
| 500 - 4980 | ￥37.50 | ￥750.00 |
| 5000 - 9980 | ￥33.55 | ￥671.00 |
| 10000 - 19980 | ￥29.55 | ￥591.00 |
| 20000 + | ￥25.55 | ￥511.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 772-5425
- メーカー型番:
- 2SK3408-T1B-A
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
- COO（原産国）:
- JP
詳細情報
Nチャンネル低電圧MOSFET、最大140V、ルネサスエレクトロニクス
MOSFETトランジスタ、ルネサスエレクトロニクス(NEC)
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 4 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 43 V |
| パッケージタイプ | SOT-346 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 260 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最大パワー消費 | 1.25 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 1.5mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 4 nC @ 10 V |
| 長さ | 2.9mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 1mm |
関連ページ
- Toshiba Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-346 3 ピン
- Toshiba Nチャンネル MOSFET30 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-346 3 ピン
- Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET60 V 25 A 表面実装 パッケージLFPAK、SOT-669 4 ピン
- Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET1500 V 4 A スルーホール パッケージTO-3PN 3 ピン
- Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET900 V 10 A スルーホール パッケージTO-220FM 3 ピン
- Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET60 V 40 A 表面実装 パッケージLFPAK、SOT-669 4 ピン
- Renesas Electronics Nチャンネル MOSFETトランジスタ1500 V 7 A パッケージSC-65 3 ピン
- Renesas Electronics Nチャンネル MOSFET250 V 48 A スルーホール パッケージTO-220FM 3 ピン