特性 | |
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チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 100 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
パッケージタイプ | TO-3PL |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 18 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 3.7V |
最大パワー消費 | 797 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | Si |
高さ | 26mm |
幅 | 5mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
シリーズ | DTMOSIV |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 20mm |