IXYS Nチャンネル MOSFET600 V 110 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピン
- RS品番:
- 802-4344
- メーカー型番:
- IXFB110N60P3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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| 6 - 11 | ￥3,741.00 |
| 12 - 15 | ￥3,497.00 |
| 16 - 19 | ￥3,015.00 |
| 20 + | ￥2,914.00 |
- RS品番:
- 802-4344
- メーカー型番:
- IXFB110N60P3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Polar3™シリーズ
IXYS Polar3™シリーズのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 110 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
| パッケージタイプ | PLUS264 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 56 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最大パワー消費 | 1.89 kW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 245 nC @ 10 V |
| 幅 | 5.31mm |
| 長さ | 20.29mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| トランジスタ素材 | Si |
| シリーズ | HiperFET, Polar3 |
| 高さ | 26.59mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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