- RS品番:
- 812-3126
- メーカー型番:
- Si2338DS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
20 - 120 | ¥70.90 | ¥1,418.00 |
140 - 1380 | ¥68.85 | ¥1,377.00 |
1400 - 1780 | ¥51.10 | ¥1,022.00 |
1800 - 2380 | ¥42.20 | ¥844.00 |
2400 + | ¥33.30 | ¥666.00 |
* 購入単位ごとの価格 |
- RS品番:
- 812-3126
- メーカー型番:
- Si2338DS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 6 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
パッケージタイプ | SOT-23 |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 33 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 1.2V |
最大パワー消費 | 2.5 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 3.04mm |
幅 | 1.4mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
トランジスタ素材 | Si |
高さ | 1.02mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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