- RS品番:
- 864-8736
- メーカー型番:
- FDU6N25
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
- RS品番:
- 864-8736
- メーカー型番:
- FDU6N25
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
UniFET™ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II™ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。
UniFET™ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
UniFET™ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 4.4 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 250 V |
パッケージタイプ | IPAK (TO-251) |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.1 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
最大パワー消費 | 50 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
長さ | 6.8mm |
動作温度 Max | +150 °C |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V |
トランジスタ素材 | Si |
幅 | 2.5mm |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
高さ | 7.57mm |
動作温度 Min | -55 °C |
シリーズ | UniFET |